ch4-3 晶体二极管的特性及参数

二极管的伏安特性–指数特性

$$i_D=I_S(e^\cfrac{U_D}{U_T}-1)$$

注：其中 $I_S$ 为反向饱和电流，$U_T$为热电压，$U_D$为导通电压，$i_D$为正向导通电流

1. 正向特性：

   死区电压（门限电压）：正向加电压的过程中，一开始电流很小，然后突然指数级的增加。在电流很小的区间，电压及是死区电压。

死区电压：室温（27°C）下，硅管：0.5-0.7V，锗管：0.1-0.3V

管压降：工业上–硅管：0.7V，锗管–0.3V
2. 反向特性:
电流很小，硅管：一般小于0.1uA，锗管小于几十微安

二极管参数

1. 直流电阻
   $$R_D=\cfrac{U_D}{I_D}$$

   正向电阻越小，反向电阻越大，二极管的导电性能越好

2. 交流电阻
   $$r_D=\cfrac{\Delta U_D}{\Delta i_D}$$

   $r_D << R_D$

3. 温度特性

   温度T增大:
   反向饱和电流增大，死区电压减小
   雪崩击穿电压增大（温度增加）
   齐纳击穿电压减小（温度减小）

4. 最大整流电流

   二极管允许通过的最大正向平均电流

5. 最大反向工作电压
6. 反向电流

   越小越好，通常反向电流与温度密切相关

7. 最高工作频率
   超过该工作频率，二极管单向导电性能变坏

   二级管电路模型

   通常看做，P端正，N端负，硅管的管压降为0.7V，锗管的管压降为0.3V即可。

2020.2.25