晶体管的结构以及符号
结构：发射区（e，emitter）集电区（c，collector），基区（b，basic）
发射区重掺杂，基区轻掺杂，集电区面积大
符号：箭头：从P区指向N区
晶体管工作原理
看图比较好理解，这里我不放图了，简单叙述一下工作过程
在晶体管在发射结正偏，集电结反偏的情况下：
发射结电子因为发射结正偏，扩散运动——>基区，其中少部分电子和基结的空穴复合
由于基区轻掺杂，扩散运动过来的自由电子只有少部分在基区和空穴复合
由于集电区反偏，形成强大电场，产生漂移运动，基区大部分电子漂移到集电区
因为集电区反偏，所以基区和集电区的少子相互漂移，形成反向饱和电流（很小，和温度关系很大，与之前PN结的情况是一样的）
在晶体三极管中在基区的作用下，把电子从发射区几乎全部传到了集电区，这是放大功能的体现（这哪里体现了放大？？睁眼说瞎）
比例系数 $\beta \alpha$
$\overline{\beta}$:共发射极直流电流放大系数。忽略集电区和基区的空穴和自由电子的漂移运动产生的电流（因为电流很小嘛）所以可以近似看作：
$$\overline{\beta}=\cfrac{I_C}{I_B}$$当$I_B=0$时，$I_C$中仍有电流，我们称为穿透电流（是之前忽略的一小部分来的）
$$\overline{\beta}=\cfrac{I_C}{I_B}$$
$$I_C=\overline{\beta}I_B$$
$$I_E=(1+\overline{\beta})I_B$$
上式公式牢记$\overline{\alpha}$:共基极直流电流放大系数。同样忽略集电区和基区的空穴和自由电子的漂移运动产生的电流，所以可以近似看作：
$$\overline{\alpha}=\cfrac{I_C}{I_E}$$$\overline{\alpha}$和$\overline{\beta}$的关系
$$\overline{\beta}=\cfrac{\overline{\alpha}}{1-\overline{\alpha}}$$
$$\overline{\alpha}=\cfrac{\overline{\beta}}{1+\overline{\beta}}$$
2020.2.26
