ch4-7 双极型晶体管特性曲线

共发射极输出特性曲线–输出电流和输出电压的关系

如上图所示，输出特性曲线分成，放大区，截止区，饱和区。

放大区

条件：e结正偏( $I_B>0$ )，c结反偏（ $Uce>=Ube$ ）

特点：

1. 由图可见$I_B$对$I_C$有很强的控制力，当 $I_B$ 变化一点的时候，$I_C$就会有比较大的变化量,因此我们定义了共发射极交流电流放大倍数：
   $$\beta=\cfrac{\Delta I_C}{\Delta I_B}$$

   当$Uce$为常数时候，上式成立。在特性曲线上反映是两条不同的$I_B$之间的间隔

2. $Uce$ 对 $I_C$ 的影响很小，$I_C$略有上升，末尾不是平的，还是向上倾斜的。

   原因：基区宽度调制效应，当 $Uce$ 变大后，集电区PN结的内电场变宽，所以基区变窄，基区复合的电流会少一点，但是由于 $I_B$ 不变，复合的电流很少

   饱和区

   条件：e结正偏，c结正偏，( Uce< Ube) 即临界饱和线的左侧

特点：

1. $I_C$不受到$I_B$的控制
2. $Uce$一定而$I_B$增大时，$I_C$基本不变，因此$\beta$趋近于0
3. $I_B$一定时，$I_C$的数值比放大时小

   截止区

   条件：e结和c结均处于反偏

特点：

1. 三个电极上的电流均为反向电流，即极间开路

   当$I_B=0$时，$I_C=Iceo$，小功率管$Iceo$很小，可以视$I_C=0$，当大功率管时，$Iceo$很大，则必须保证e结反偏

   共发射极输入特性曲线–输入电流和输入电压的关系

   随着$Uce$的增大，$I_B$也增大，类似二极管特性曲线，当$Ube<0$时，晶体管截止，超过某值，e结也会反向击穿。

同样有死区电压，硅管：$Ube:$ 0.6–0.7V,锗管$Ube:$ 0.1–0.3V

转移特性（输出电流$I_C$和输入电压$Ube$的关系）

2020.2.28