基本概念
- 绝缘栅场效应管由金属-氧化物-半导体构成(Metal-Oxide-Semiconductor),简称MOSFET(MOS管)
- 结构：栅极有二氧化硅(绝缘材料)和下方衬底隔开，所以栅极电流为0，
- MOS管类型和符号：
注:MOS管分为增强型和耗尽型，右侧竖线表示导电沟道，平时增强型MOS管导电沟道断开，而耗尽型平时导电沟道是接通的。其中箭头表示PN结的方向.N沟道表示导电沟道为N型，P沟道同上。
导通原理
栅源电压Ugs对导电沟道的作用
通常衬底和栅极连接，通过施加栅源电压，产生纵向的电子和空穴的移动，当形成导电沟道时的栅源电压称为开启电压，通过对栅源电压的控制可以使沟道均匀的变宽窄漏源电压Uds对导电沟道的控制作用
当栅源电压大于开启电压的时候(导电沟道形成)，改变漏源电压可以使沟道不均匀变窄，直到预夹断为止(预夹断还是在电场的作用下有电流产生)增强型MOS管伏安特性曲线
由于栅极无电流，所以无输入特性曲线输出特性曲线
$$I_D=f(Uds)$$
和结型场效应管相似，图的话看书吧转移特性
$$I_D=f(Ugs)$$
i和Ugs成平方性的关系公式比较长，这里不写了，复习的话看书吧
平方率关系方程中，和沟道长宽，电子迁移速率，以及单位面积栅极电容有关系
(和电容有什么关系呢?)
Ugs越大，Rds越小(Ugs越大，沟道越宽，阻值自然就小了)
耗尽型MOS管伏安特性曲线
由于耗尽型MOS管本身就有导电沟道，所以，有反向电压截止，其他区别不大，复习看书吧
(输出特性+转移特性)
2020.3.10
