前言

就是输入电阻大，输出电阻小，适合放置在其它的部分是电路分析，公式有需要，后期再补上。

前言

在前面共射放大电路的基础上，将共射极电阻的旁路电容去电或者再加一个电阻，分析一下这个对电路的交流参数有什么影响。

前言

之前晚上做练习的时候(就是黄老师慕课堂上网课)，有的题目实在看不明白，也不知道同学们都是咋写出来的？所以没有提交，这回mooc上面看过网课了，才明白，这里总结一下

前言

晶体管在放大应用的时候，要求外电路将晶体管偏置在放大区(若是NPN管就是发射结正偏，集电结反偏)，使得信号在放大的时候不产生线性失真(静态工作点太靠前的话工作在非线性区，就会失真)

基本放大器组成原则

基本放大器通常是指的由一个晶体管或场效应管构成的单级放大电路

前言

晶体三极管模型在静态工作点附近可以近似看做线性变化，其中变化的部分看做交流分量，线性部分看做直流分量。(本章很多地方听的不明白，后期学习再补回来)

基本概念

1. 绝缘栅场效应管由金属-氧化物-半导体构成(Metal-Oxide-Semiconductor),简称MOSFET(MOS管)

JFET基本概念

1. 结型场效应管(Junction field effect tube —— JFET)，栅极(Grid)，漏极(Drain)，源极(Source)
2. 结构：长方体两侧连接栅极，中间沟道连接漏极和源极

晶体管的极限参数

1. 击穿电压：因为有三个极，所以有三个反向击穿电压。
2. 集电极最大允许电流$Icm$：随着$I_C$的增大，$\beta$会减小，当$\beta_0=\cfrac{2}{3}\beta$时候的电流称作$Icm$(最大允许电流)，集电极电流超过此值的时候，放大倍数会减小(因为$\beta$明显减小)