共发射极输出特性曲线–输出电流和输出电压的关系

晶体管的结构以及符号

1. 结构：发射区（e，emitter）集电区（c，collector），基区（b，basic）

   发射区重掺杂，基区轻掺杂，集电区面积大

2. 符号：箭头：从P区指向N区

稳压二极管

1. 符号：在二级管的符号上加一个小弯
2. 稳定电压（$U_Z$）：工作在反向击穿状态时的稳定电压即稳定电压
3. 额定功耗（$P_Z$）：使用时功耗不超过这个标准，这个功耗由管子本身的属性决定
4. 稳压电流（$I_Z$）：稳压二极管工作时候有最大电流和最小电流，在这个范围区间的就是稳压电流，小于该值，管子失去稳压作用，大于此值，管子会烧坏

整流电路

这里最好有电路图，但是懒得加了，咱们就脑子里回忆吧，哈哈哈

二极管的伏安特性–指数特性

$$i_D=I_S(e^\cfrac{U_D}{U_T}-1)$$

注：其中 $I_S$ 为反向饱和电流，$U_T$为热电压，$U_D$为导通电压，$i_D$为正向导通电流

基本概念

1. PN结：P型半导体和N型半导体交接面处会形成一个有特殊物理性质的薄层，称为PN结

基本概念

1. 物体分为：导体，半导体，绝缘体。其中半导体的导电能力随着温度，光照，掺杂等外界因素所改变（价带，禁带，导带）

微分器

目标：$Uo(t)=k\cfrac{dui(t)}{dt}$

即输出与输入的微分成正比，微分是积分的逆运算。

积分器

目标：$Uo(t)=k\int Ui(t)dt$

即输出与输入的积分成正比

相减器

目标：使输入的两个信号相减输出
$$Uo = a Ui1 - b Ui2$$

那么令同相端为被减数（Ui1），反相端为减数（Ui2），即可