前言

智能车制作新手上路，现在开始准备画整车的电路板，电路板一般分成4个模块：电源部分，驱动部分，主控部分，信号部分，这篇文章简单总结一下电机的选择和对应驱动电路的选择

前言

晶体管在放大应用的时候，要求外电路将晶体管偏置在放大区(若是NPN管就是发射结正偏，集电结反偏)，使得信号在放大的时候不产生线性失真(静态工作点太靠前的话工作在非线性区，就会失真)

基本放大器组成原则

基本放大器通常是指的由一个晶体管或场效应管构成的单级放大电路

前言

晶体三极管模型在静态工作点附近可以近似看做线性变化，其中变化的部分看做交流分量，线性部分看做直流分量。(本章很多地方听的不明白，后期学习再补回来)

基本概念

1. 绝缘栅场效应管由金属-氧化物-半导体构成(Metal-Oxide-Semiconductor),简称MOSFET(MOS管)

JFET基本概念

1. 结型场效应管(Junction field effect tube —— JFET)，栅极(Grid)，漏极(Drain)，源极(Source)
2. 结构：长方体两侧连接栅极，中间沟道连接漏极和源极

晶体管的极限参数

1. 击穿电压：因为有三个极，所以有三个反向击穿电压。
2. 集电极最大允许电流$Icm$：随着$I_C$的增大，$\beta$会减小，当$\beta_0=\cfrac{2}{3}\beta$时候的电流称作$Icm$(最大允许电流)，集电极电流超过此值的时候，放大倍数会减小(因为$\beta$明显减小)

共发射极输出特性曲线–输出电流和输出电压的关系

前言

Deep Residual Learning for Image Recognition

ResNet是何凯明（微软亚洲AI研究院工作）提出的残差神经网络，曾经在Kaggle等平台上获得多次大奖。

晶体管的结构以及符号

1. 结构：发射区（e，emitter）集电区（c，collector），基区（b，basic）

   发射区重掺杂，基区轻掺杂，集电区面积大

2. 符号：箭头：从P区指向N区